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          GaN快充|QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601X

          來源:亞成微電子 發布時間:2020-11-25 閱讀次數:

          E-Mode GaN FET直驅QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601SN


          芯片特點
           

          高效率、大功率

          ■支持CCM/QR混合模式;

          ■支持最大140KHz工作頻率;

          ■RM6601S采用專有的分段驅動技術,可匹配coolmos設計

          RM6601SN采用專有驅動技術,直驅 E-mode GaN FET

           

          超低待機功耗

          ■ 內置700V高壓啟動;

          ■ 集成X-CAP放電功能;

          ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

          ■ 待機功耗<65mW。

           

          優異的性能

          ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

          ■ Burst Mode去噪音;

          ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

          ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

          ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

          ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


          原理圖
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          產品圖


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          產品系列


           

          型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
          RM6601S SSR+QR 75W SOP-8 外置MOS
          RM6601SN SSR+QR 120W SOP-8 外置GaN

           

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