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          支持120W快充|3D封裝技術氮化鎵直驅電源芯片RM6801SQ

          來源:亞成微電子 發布時間:2021-03-19 閱讀次數:

          支持120W快充|3D封裝技術高集成氮化鎵直驅電源芯片RM6801SQ


          芯片概述

          RM6801SQ是一款采用3D封裝技術的高性能、高可靠性、高集成度電流控制型PWM開關控制芯片,內部集成了ZVS反激式PWM控制器、氮化鎵驅動器以及高壓啟動管,最大輸出功率120W,具有高效率、高通流、高導熱率等特點。

          RM6801SQ全電壓范圍內待機功耗小于65mW,滿足六級能效標準,并且支持CCM/QR混合模式,專有ZVS技術降低GaNFET開關損耗,提高產品效率及功率密度,改善產品EMI。芯片集成多種工作模式,在重載情況下,系統工作在傳統的固頻130Khz的PWM模式下,在低壓輸入時會進入CCM模式;在高壓重載情況下,系統工作在QR模式,并采用專有ZVS技術,以降低開關損耗,同時結合PFM工作模式提高系統效率;RM6801SQ采用專有的驅動技術,易于搭配Emode GaN功率器件改善EMI設計;在輕載或空載情況下,系統工作在Burst Mode模式,有效去除音頻噪音,同時在該模式下,RM6801SQ本身損耗極低,因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下,都集成了特有抖頻工作模式,以改善EMI。

          RM6801SQ同時集成了多種保護模式和補償電路,包括VCC OVP,內置OTP,外置OVP,欠壓鎖定(uvlo),逐周期過流保護OCP,過載保護(OLP),CS短路保護,輸出肖特基短路保護等,并內置斜坡補償和ZVS線電壓補償。



          功能特點
           

          ■ 支持CCM/QR混合模式;

          ■ 專有ZVS技術;

          ■ 內置700V高壓啟動;

          ■ 集成X-CAP放電功能;

          ■ 支持最大130KHz工作頻率;

          ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

          ■ Burst Mode去噪音;

          ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

          ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償;

          ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

          ■ 外置OVP保護;

          ■ 具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

          ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護

           


          原理圖
          \

          產品圖





          產品系列

           

          型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管 應用領域
          RM6801SQ SSR+ZVS 120W PLP3*3 外置GaN

          PD/QC快速充電器

          大功率適配器

          TV電源

           

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