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          大功率GaN快充|ZVS反激電源控制芯片RM6801ND

          來源:亞成微電子 發布時間:2021-07-19 閱讀次數:

          強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801ND

           

          高效率、大功率

          ■專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

          ■支持CCM/QR混合模式;

          ■支持最大130KHz工作頻率;

          ■專有驅動技術,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。

           

          超低待機功耗

          ■ 內置700V高壓啟動;

          ■ 集成X-CAP放電功能;

          ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

          ■ 待機功耗<65mW。

           

          優異的性能

          ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

          ■ Burst Mode去噪音;

          ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

          ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

          ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

          ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


          原理圖
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          產品系列

           

          型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
          RM6801ND SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置GaN

           

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