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          大功率快充方案(RM6801X系列/RM6601X系列)

          來源:亞成微電子 發布時間:2020-12-12 閱讀次數:




          背景介紹

          近年來,手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便,隨著快充技術的迅速發展,更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求,而對于各大充電器廠商來說,大功率、高效率、小體積、安全穩定的高功率密度快充方案將成為這場戰役中的制勝關鍵。在傳統以及準諧振反激形式應用中,由于MOS導通時的電壓較高(基本都在150V以上),特別是高壓的輸入條件下,會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾,影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現,很好的解決了這些痛點。為了適應快充市場發展新需求,亞成微通過不斷研究改進,成功推出了ZVS反激式架構的開關電源控制芯片RM6801X 以及 QR/CCM反激電源控制芯片RM6601X...


          強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X
           

          芯片優勢

          高效率、大功率

          ■ 專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

          ■ 支持CCM/QR混合模式;

          ■ 支持最大140KHz工作頻率;

          ■ 支持最大功率120W;

          ■ 兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET(COOLMOS)驅動設計,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。


          超低待機功耗

          ■ 內置700V高壓啟動;
          ■ 集成X-CAP放電功能;
          ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;
          ■ 待機功耗<65mW。

           

          【優異的性能】

          ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;
          ■ Burst Mode去噪音;
          ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;
          ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;
          ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;
          ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


          原理圖




          產品DEMO(尺寸:55mm×30mm×25mm)
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          QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601X

          芯片優勢
           

          高效率、大功率

          ■ 支持CCM/QR混合模式;

          ■ 支持最大140KHz工作頻率;

          ■ 支持最大功率120W;

          ■ 兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET(COOLMOS)驅動設計,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。


          超低待機功耗

          ■ 內置700V高壓啟動;
          ■ 集成X-CAP放電功能;
          ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;
          ■ 待機功耗<65mW。

           

          【優異的性能】

          ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;
          ■ Burst Mode去噪音;
          ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;
          ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;
          ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;
          ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


          原理圖

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          產品DEMO(尺寸:55mm×30mm×25mm)
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          產品系列

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          大功率快充方案選型

          【一】高性能、低功耗 60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T點擊查看詳細方案




          【二】高精簡、低成本 65W 氮化鎵(GaN)快充方案RM6601SN+RM3410T點擊查看詳細方案




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