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          高效率、低成本|25W 氮化鎵功率集成快充方案

          來源:亞成微電子 發布時間:2022-04-22 閱讀次數:

          25W 氮化鎵(GaN)功率集成快充方案(基于亞成微氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+同步整流芯片RM3434SA+協議芯片RM6602T)

          亞成微25W 氮化鎵(GaN)功率集成快充方案,是基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL + 超快關斷同步整流控制芯片RM3434SA + 協議芯片RM6602T芯片組合,通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合,實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,具有體積小、性能強、功耗低等特點,滿足低成本、高效率、高可靠性小型化快充電源需求。

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          1.方案DEMO(尺寸:34mm×30mm×23mm

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          芯片介紹:
          主控采用亞成微氮化鎵功率集成芯片RM6604NDL
          次級芯片采用亞成微超快關斷同步整流芯片RM3434SA
          協議芯片采用亞成微RM6602T

           

          方案特點:
           

          ■ 支持 CCM/QR 混合模式
          ■ 內置 650V GaN HEMT
          ■ 內置 700V 高壓啟動
          ■ 特有抖頻技術改善 EMI;Burst Mode 去噪音
          ■ 低啟動電流(2uA)和低工作電流
          ■ 集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償
          ■ 集成 AC 輸入 Brown out/in 功能
          ■ 外置 OVP 保護
          ■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護
          ■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護
          ■ 采用DFN5*6封裝


           

          2.方案原理圖

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          3.待機功耗


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          4.能效測試


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          5.溫升測試


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          6.傳導測試
           

          230V輸入

          5V/3A(L)測試結果

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          230V輸入

          5V/3A(N)測試結果


           

          230V輸入

          9V/2.77A(L)測試結果 



           

          230V輸入

          9V/2.77A(N)測試結果




           

           

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