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          高效率、低成本|30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

          來源:亞成微電子 發布時間:2022-05-27 閱讀次數:

          30W A+C雙口 氮化鎵(GaN)功率集成快充方案(基于亞成微氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+同步整流芯片RM3405SH

          亞成微30W A+C雙口  氮化鎵(GaN)功率集成快充方案,是基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL + 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合,通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合,實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,具有高效率、小體積、低成本等特點,可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產并節省物料成本。

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          1.方案DEMO(尺寸:40mm×31mm×20mm

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          芯片介紹:
          主控采用亞成微氮化鎵功率集成芯片RM6604NDL
          次級芯片采用亞成微高性能同步整流芯片RM3405SH
           

          氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

           

          ■ 支持 CCM/QR 混合模式
          ■ 內置 650V GaN HEMT
          ■ 內置 700V 高壓啟動
          ■ 特有抖頻技術改善 EMI;Burst Mode 去噪音
          ■ 低啟動電流(2uA)和低工作電流
          ■ 集成斜坡補償
          ■ 集成輸入 Brown out/in 功能
          ■ 外置 OVP 保護
          ■ 具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護
          ■ 內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護
          ■ 采用DFN5*6封裝

           

          高性能同步整流控制芯片RM3405SH

           

          ■ 輸出電壓直接供給VCC

          ■ CCM操作的快速驅動程序功能

          ■ 工作頻率200KHz

          ■ 驅動抗干擾功能

          ■ 采用SOP8 封裝
           

          2.方案原理圖

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          3.待機功耗


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          4.能效測試


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          5.紋波測試

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          6.溫升測試


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          7.傳導測試
           

          230V輸入

          20V/1.5A(L)測試結果

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          230V輸入

          20V/1.5A(N)測試結果


           

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